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IPM自举电路设计过程中的关键问题研究【欧冠买球官网】

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欧冠买球官网_摘要:说明了IPM自举电路的基本流形结构和原理,在理论分析的基础上研究了自举电阻、自举二极管和自举容量的选择方法,重点研究了自举容量的初始电池,非常简单的初始电实验结果表明,该初始电池的方法非常简单、简单、安全可靠,解决了初始电池可能引起IPM上下管直通的问题。 一般来说,IPM模块应该由四个系统的独立电源供电,下臂的三个IGBT控制电路共用一个独立电源,上臂的三个IGBT控制电路使用三个独立电源。 对于小功率IPM,自举电路可以自举其他三个系统的电压来获得三个独立电源[1]。

IPM模块通过在小的PCB基板上构筑功率器件、驱动电路、维护电路的高度,可以将功率模块应用于单一的电源供给。 为了修改设计,驱动电路广泛使用单一的控制电源方式。

要用于单一电源,必须满足两个拒绝。 一是为了控制电源,需要取得上臂功率器件的正确栅极偏置电压。

二是直流母线上的高压控制电源电路,防止零部件烧毁。 一般用于用自举电路法构筑IPM模块的单一电源供给。 构建引导程序有两个重要问题。

一个是自举容量的初始电池。 二是自举电容器充电结束后,下臂败北军的上臂不会立即接通,在从下臂逆变器到上臂接通的期间,电容器不会变成静电,因此少量静电后也需要确保电容器电压。

本文说明了IPM自举电路的基本流形结构和原理,重点研究自举容量的初始电池问题,通过控制程序继续执行非常简单的初始电池文,较好地解决了上述重要问题,在项目中取得了较高的电池效果1IPM模块自举电路的基本流形结构和原理电压自举是利用电路本身产生高于输出电压的电压。 基于电容蓄积的电压自举电路一般根据基于电容的电荷蓄积来构筑电荷的移动,从而构筑电压的提高。 电压自举电路以电荷传输方式工作,通过存储电容将电荷从输出移动到输入,取得阻抗所需的电流。 图1表示增力电压自举电路的基本原理。

假设所有电源都是理想的电源,电容器都是理想的电容器。 当电源S1和S3打开时,电源VCC以电压超过VCC的方式提供给电容器c的电池。 然后,需要插入电源S1和S3,S2开口,接收电容器c的高电压终端。

此时,电容器c维持以前的振幅蓄积的电荷VCCC。 因为在S2开口时电容器c上的电荷量不变化,所以有(V0-VCC)C=VCCC,即V0=2VCC。 没有直流阻抗时,利用图1右图的电路,理想情况下可以输入输出电压的2倍以上。

2自举电路设计中的重要问题研究本项目的IPM模型和IGCM20F60GA[2]。 图2是IPM自举电路的原理图。

从图2可以看出,自举元件的一端与电路的输出部连接,另一端与同振幅的输入电路部连接,通过输出、输入的同相变化,将自身抬起,即自举元件导入极性的对系。 电路图中第一路自举电路的展开分析[3-4]。 IPM模块的自举电路仅由自举电阻R62、自举二极管D9、自举电容E1构成,因此非常简单且可靠性高。 该电路的基本动作过程是,在VS因下臂功率器件的接通而被较低地接受到类似的电位GND时,控制电源VCC不经由R62和D9向自举电容E1供给电池。

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上臂导通,VS下降到直流母线电压时,自举二极管D9的偏移被累计,直流母线电压从VCC断开,直流母线外侧的高压列到达控制电源高压外侧,部件不会烧毁。
此时E1变为静电,向上臂功率器件的栅极获取驱动电压。 如果VS再次被收纳得较低,则E1再次通过VCC电池补充上臂导通期间E1中损失的电压。

该自举方式是利用VS侧的电平在低电平之间有时旋转而构建的。 如图2右图所示,自举电路提供给E1电池,E1的电压基于上臂输入晶体管源越接近电压越上下浮动。 为了在运行中反复进行自举电容器的充放电,必须自由选择必要的参数,使自举电容器上的电压在电机运行时低于欠电压基准水平。

从以上的分析可知,为了确保E1的下降电压,需要及时且大致补充,自举电路拒绝下臂大于接通时间。 但是,如果能够正确自由地选择各部件的参数,则不会大幅降低自举电路对下臂的导通时间以上的允许。 2.1自举电容器E1的自由选择自举电容器E1在必须根据由自举电容器得到的电池电压以下自由选择的实际应用中,自举电路在上臂功率器件接通时被允许VF是自举二极管反向电压降,VBSmin是上臂驱动电压以下,VBSUV是低于上臂控制电压的电压维护值,Vsat是下臂功率器件的饱和状态电压降,如果这样指定VBS,则慢慢计算出有E1。 但是,考虑到各部件的参数的生产率和应用于电路的可靠性,实际使用的E1应该自由选择为计算值的2~3倍。

本项目选择了47F/25V的电解电容器。 2.2自举电阻R62的自由选择自举电阻R62的作用是允许dVBS/dt。

为了确保自举容量,下臂需要比接通时间大的电池VBS,因此在式中,下臂的TLON比接通时间大。 本项目中自举电阻R62取22。

2.3自举二极管D9的自由选择由于自举二极管起到切断直流母线的高压、控制电源的高压的作用,因此必须切断直流干线的高压,以免IC设备破损,因此自由选择D9 为了增加电荷损失,请勿自由选择高耐压的偏移溢出电流小的超高速完全恢复二极管。 本项目中组合的自举二极管的型号为BYV36C。-欧冠买球官网。

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